курс цб на 19.11:
59.6325
70.3604

Замена флэш-памяти: ученые совершили прорыв

30 октября 2009 13:30 Количество просмотров51 просмотр

Ученые Intel совместно с коллегами из Numonyx разработали способ наложения слоев фазовой памяти друг на друга, что открывает возможность значительного роста ее емкости без увеличения размеров. По мнению экспертов, фазовая память имеет хорошие шансы в будущем стать заменой флеш-памяти.

Корпорация Intel и компания Numonyx объявили о значительном прорыве в создании Phase Change Memory (PCM) – нового типа энергонезависимой памяти, основанной на фазовых переходах. Стороны разработали способ наложения слоев такой памяти друг на друга, что открывает возможность создания фазовых систем хранения данных с более высокой плотностью записи информации, меньшим потреблением энергии и миниатюрными размерами, отмечается в пресс-релизе.

В рамках совместного исследовательского проекта компании разработали метод производства вертикально интегрированных ячеек PCM(S). Каждая такая ячейка включает два элемента, находящиеся в параллельных слоях: PCM и переключающий модуль Ovonic Threshold Switch (OTS). В совокупности PCM(S) формируют узловой массив. Возможность накладывать слои PCM(S)-ячеек друг на друга позволяет увеличивать плотность хранения информации, сохраняя характеристики однослойной фазовой памяти.

Ячейки фазовой памяти создаются путем соединения элемента хранения данных и переключающего элемента. Использовать PCM в качестве элемента хранения данных пытались давно, но ранее применялось сразу несколько типов переключающих элементов, что приводило к ограничениям массивов по размеру и эффективности. Инженеры Intel и Numonyx смогли решить эту проблему. Разработчики продемонстрировали, что сброс информации, хранимой в ячейках, выполняется за 9 нс, и сама память не теряет свойств даже в после 1 млн циклов перезаписи

 «Сделан многообещающий научный прорыв, — Грег Этвуд (Greg Atwood), сотрудник Numonyx, специалист в области технологий. – Он показывает, что мы можем создавать память с еще большей плотностью, увеличивать размер массивов и в будущем использовать фазовую память там, где сейчас стоят модули флеш-памяти NAND-архитектуры. Это очень важно, так как традиционная флэш-память подходит к пределу своих физических и функциональных возможностей. Между тем, потребность в памяти остается. Все больше и больше памяти необходимо для самых различных продуктов – от мобильных устройств до центров обработки данных».

Более подробная информация по открытию будет приведена в совместном докладе «Многослойная узловая память на базе фазовых переходов» (A Stackable Cross Point Phase Change Memory) на конференции International Electron Devices Meeting 2009 в Балтиморе, штат Мэриленд, 9 декабря 2009 г. О начале поставок многослойной фазовой памяти в Intel пока не говорят.

Помимо Intel и Numonyx, исследованиями в данном направлениями занимаются STMicroelectronics, IBM и другие компании. По словам ученых, память на фазовых переходах в течение следующих лет станет наиболее подходящей заменой современной флэш-памяти. Предполагается, что со временем PCM будет использоваться в сотовых телефонах, цифровых камерах, MP3-плеерах, компьютерах и другом оборудовании. Широкое проникновение фазовой памяти – одна из основных задач, которая сегодня стоит перед ее создателями. Между тем, впервые о памяти на базе фазовых переходов в агрегатном состоянии вещества было заявлено около 30 лет назад.

По материалам CNews




В рубриках:
Технологии
Лента новостей
Технологии
Банки и МФО Qiwi приобрела Рокетбанк и «Точку»
17 ноября 2017 15:15
Количество просмотров 705 просмотров
Технологии SIM-карта заменит паспорт?
15 ноября 2017 10:39
Количество просмотров 286 просмотров
Банки и МФО «Госбанк» с дружеским лицом
14 ноября 2017 14:41
Количество просмотров 718 просмотров
Криптовалюты Курс биткоина упал почти на 30%
13 ноября 2017 10:01
Количество просмотров 227 просмотров